2022-01-18 10:31
HJT电池工艺步骤简化，TCO薄膜沉积分PVD/RPD两种工艺。HJT电池工艺包括清洗制绒、非晶硅薄膜沉积、TCO薄膜沉积以及丝网印刷四步，其中TCO薄膜沉积分PVD/RPD两种工艺。
PVD磁控溅射工艺用被电磁场加速的高能粒子(Ar+)轰击靶材，靶材表面原子获得能量逸出，沉积在衬底表面形成氧化物薄膜。
RPD工艺利用等离子体枪产生氧的等离子体，让其进入生长腔后，在磁场作用下轰击靶材，靶材温度升高后生化形成蒸汽实现薄膜沉积。
目前主流技术路线是用PVD工艺，相较于PVD，RPD的效率和质量更高，但是受制于日本住友公司对设备和靶材的垄断，成本较高。
靶材是TCO薄膜沉积的关键，ITO靶材为最佳选择。不论是PVD工艺还是RPD工艺，靶材都是必不可少的材料。目前市场化的靶材有AZO和ITO等。AZO材料价格较为经济，但其导电性较ITO相差较大，通过厚镀膜来弥补导电性将极度降低光的透过率，将大幅降低电池特性。ITO靶材就是氧化铟和氧化锡粉末按一定比例混合后经过一系列的生产工艺加工成型，再高温气氛烧结(1600度，通氧气烧结)形成的黑灰色陶瓷半导体，通过调整氧化铟和氧化锡粉末的比例，可以提高HJT电池的转换效率。
ITO靶材以进口为主，国产替代正当时。全球ITO靶材市场主要供应商有日本日矿、三井矿业、康宁、优美科等，其垄断了全球80%的中高端市场份额和90%的全球晶圆制造靶材市场份额。我国ITO靶材大量依赖进口，国产ITO靶材主要集中在中低端领域，根据华经情报网数据，2020年市场份额仅在30%左右。经过多年发展，目前我国形成了一批具备ITO靶材量产能力的企业，市场也开始逐渐导入国产靶材，靶材进口替代进程有望不断推进。
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